10月22日下午，2007年诺贝尔物理奖获得者阿尔贝·费尔（Albert.Fert）来到华南理工大学励吾楼国际会议厅，为千余师生作题为“自旋电子学：用于计算与通信的新前沿”的学术报告，报告会现场气氛热烈、座无虚席。

报告会前，华工校长王迎军、副校长党志、法国驻广州总领事Mr.BrunoBISSON（白屿淞）先生、法国驻广州总领事馆科技教育合作专员Mr.ChristopheBONT（彭德恺）先生在励吾楼贵宾接待室会见客人。随后，双方在友谊林植树留念。

自旋电子学是研究磁性材料中电输运对电子自旋取向影响的一个全新领域。1988年，Fert教授和Grünberg教授分别独立发现在磁性多层膜中存在着巨磁电阻（GMR）效应。此效应已经被广泛应用于计算机硬盘的读出磁头中，使得硬盘容量成数量级的增大。GMR效应的发现开启了人们对自旋诱导类似效应的深入研究，并发展成为一个新的研究领域--自旋电子学。如今，自旋电子学正沿着许多有重要应用前景的方向发展，其远景目标是开发出超越传统半导体电子学极限的新的电子学器件。

报告会上，Fert教授以生动的图片、形象的例子介绍了自旋电子学原理，接着对当今的几个最有趣的研究方向进行综述。自旋传输现象很快将被应用于几种被称为STT-RAM的可以极大降低计算机能量损耗的新型非易失性存储器以及无线通讯领域中的无线电波发生器件。基于碳材料如石墨烯和碳纳米管的自旋电子学被认为是后硅基时代的一种新型微电子线路形式的基础。另外，用于生物计算的神经形态器件研究也是一个激动人心的新方向。

华南理工大学理学院物理系在磁性纳米结构、多重铁材料和自旋电子学方面有望与Fert教授进行一些项目合作，同时在青年教师培养方面可以选派一些青年教师骨干到Fert教授的实验室学习进修。

谈到对华南理工大学的印象，Fert教授认为华工的基础研究和应用科学研究结合方面发展的非常好，同时他寄语华工学子：在科学的道路上前行，希望大家一定要有信念，不要害怕，要大胆，要有想象力，积极去验证自己的想法。

附：阿尔贝·费尔简介

Albert·Fert（阿尔贝·费尔，1938-），出生于法国的卡尔卡松，法国物理学家。1962年，获得巴黎高等师范学院的数学和物理硕士学位。1970年，获得巴黎第十一大学的物理学博士学位。目前为巴黎第十一大学物理学教授，并且从1970年到1995年一直在巴黎第十一大学固体物理实验室工作。后任研究小组组长。1995年至今则担任国家科学研究中心-Thales集团联合物理小组科学主管。1988年，费尔和德国科学家彼得o格林贝格尔各自独立发现了巨磁阻效应，并共同获得2007年诺贝尔物理学奖。此外，费尔对自旋电子学也做出了许多贡献。曾经于1994年获美国物理学会颁发的新材料国际奖，1997年获欧洲物理协会颁发的欧洲物理学大奖，以及2003年获法国国家科学研究中心金奖。